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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种降低器件寄生电容的外延层沟槽形貌优化方法，将器件中的外延层沟槽设计为弓形形貌；改变弓形形貌的设计参数，以获得多个不同的弓形形貌；分别获取各具有不同弓形形貌外延层沟槽的器件的有效电容；获取各有效电容中对应较低值的弓形形貌为较优形貌，后续的器件的外延层沟槽设计为较优形貌。本发明可以在不影响外延层对沟道应力及DC直流信号性能的前提下降低器件的有效电容，提升器件的AC交流信号性能。
主权项：1.一种降低器件寄生电容的外延层沟槽形貌优化方法，其特征在于，至少包括：步骤一、将器件中的外延层沟槽设计为弓形形貌；步骤二、改变所述弓形形貌的设计参数，以获得多个不同的所述弓形形貌；步骤三、分别获取各具有不同所述弓形形貌外延层沟槽的器件的有效电容；步骤四、获取各所述有效电容中对应较低值的所述弓形形貌为较优形貌，后续的所述器件的所述外延层沟槽设计为所述较优形貌。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 降低器件寄生电容的外延层沟槽形貌优化方法
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