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申请/专利权人：凯德芯贝(沈阳)石英有限公司

摘要：本发明涉及一种半导体芯片边缘向心气相外延用石英支架，属于半导体芯片气相外延技术领域，石英支架包括底盘、支块、盘罩、盖板和环套；底盘的上面放置有支块，盘罩盖合于底盘上，盘罩的顶面设置有截面为“U”形的凹槽，凹槽的侧壁均布有若干个通气孔；盖板盖封凹槽；支块用于支撑晶圆；盖板中心开设有适配孔，用于套设于石英管喷嘴外壁；盘罩的外壁套设有环套。本发明的石英支架结构能够很好的均布气流，并约束气流从晶圆的边缘流向中心，且顺利排出，降低气流紊乱，降低污染风险；设计环套对红外进行反射，加快气相外延层的生成速度；各组件配合使用能够保证晶圆边缘向心气相外延的质量，晶型向心生长均匀，粗糙度低，缺陷少，位错密度低。

主权项：1.一种半导体芯片边缘向心气相外延用石英支架，其特征在于，石英支架包括支架主体和盖板（4），所述支架主体包括底盘（1）、支块（2）和盘罩（3）；所述底盘（1）的上面放置有支块（2），所述盘罩（3）盖合于底盘（1）上，所述盘罩（3）的顶面设置有截面为“U”形的凹槽（3.1），所述凹槽（3.1）的侧壁均布有若干个通气孔（3.2）；所述盖板（4）盖封凹槽（3.1）；所述支块（2）用于支撑晶圆（7）；所述盖板（4）中心开设有适配孔，用于套设于石英管喷嘴（6）外壁；所述底盘（1）的边缘向上突出有凸边（1.2），用于与盘罩（3）卡合；所述盘罩（3）的外壁套设有环套（5）；所述凹槽（3.1）的底端距离晶圆1mm～3.5mm；所述凹槽（3.1）的外直径大于晶圆直径；所述凹槽（3.1）的侧壁厚度为8mm以上；所述通气孔（3.2）从凹槽（3.1）的内壁至外壁为向上倾斜开设，倾斜角度为15°～30°；所述晶圆（7）为圆环晶圆，晶圆（7）的中心开设有圆形的中心孔；所述底盘（1）的中心开设有圆形的出气孔（1.1）；所述出气孔（1.1）的直径大于晶圆（7）的中心孔的直径；所述盘罩（3）侧壁设置有圆环导流板（3.3），所述圆环导流板（3.3）的位置高度高于晶圆，且低于凹槽（3.1）的侧壁；所述圆环导流板（3.3）的截面为直角三角形，直角三角形的斜面用于斜向下导流，将气流导向晶圆（7）的边缘，使气流由晶圆（7）的边缘向晶圆（7）的中心流动；所述环套（5）为不透明环套，具有反光和隔热性；所述环套（5）的高度为盘罩（3）高度的0.55倍～0.75倍；所述环套（5）的底端贴合于底盘（1）的凸边（1.2）；所述环套（5）的材质为堇青石陶瓷、氧化锆陶瓷或莫来石陶瓷；所述环套（5）的内壁有反光涂层，所述反光涂层的厚度为30μm～80μm。

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