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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种高空穴注入效率Micro‑LED外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的Micro‑LED外延结构包括多量子阱发光层、多阶P型空穴注入增强层和P型半导体层；多阶P型空穴注入增强层包括第一阶空穴注入增强层、第二阶空穴注入增强层和第三阶空穴注入增强层；第一阶空穴注入增强层包括第一AlGaN层和第一InGaN层；第二阶空穴注入增强层包括第二AlGaN层和第二InGaN层，第二InGaN层中掺杂有Mg；第三阶空穴注入增强层包括第三AlGaN层、第三InGaN层和第四InGaN层，第三InGaN层和第四InGaN层中分别掺杂有Mg。本发明高空穴注入效率的Micro‑LED外延结构，可显著提高P型半导体层的空穴注入效率并改善多量子阱发光层区域电子空穴浓度的匹配度，从而提高Micro‑LED芯片在低工作电流密度下的光效。
主权项：1.一种高空穴注入效率Micro-LED外延结构，其特征在于，包括依次层叠设置的多量子阱发光层、多阶P型空穴注入增强层和P型半导体层；所述多阶P型空穴注入增强层包括从下至上依次层叠生长的第一阶空穴注入增强层、第二阶空穴注入增强层和第三阶空穴注入增强层；所述第一阶空穴注入增强层包括由下至上依次周期性交替生长的第一AlGaN层和第一InGaN层；所述第二阶空穴注入增强层包括由下至上依次周期性交替生长的第二AlGaN层和第二InGaN层，所述第二InGaN层中掺杂有Mg元素；所述第三阶空穴注入增强层包括由下至上依次周期性交替生长的第三AlGaN层、第三InGaN层和第四InGaN层，所述第三InGaN层和所述第四InGaN层中均掺杂有Mg元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种高空穴注入效率Micro-LED外延结构及其制备方法
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