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申请/专利权人：福建兆元光电有限公司
摘要：一种混色的外延结构及制作方法，该结构包括依次生长的基层、缓冲层、第一发光层、超晶格结构的过渡层和第二发光层；其中所述过渡层包括循环堆叠的GaN层、InxGa1‑xN及AlyInzGa1‑y‑zN层，GaN层的厚度随着循环堆叠的周期数增大而逐渐增大，InxGa1‑xN层和AlyInzGa1‑y‑zN层的厚度随着循环堆叠的周期数增大而逐渐减小。区别于现有技术，上述技术方案通过设置超晶格层中循环堆叠的InxGa1‑xN层和AlyInzGa1‑y‑zN层的厚度，增强电子迁移率，最终实现增强电流的技术效果。
主权项：1.一种混色的外延结构，其特征在于，包括依次生长的基层、缓冲层、第一发光层、超晶格结构的过渡层和第二发光层；其中所述过渡层包括循环堆叠的GaN层、InxGa1-xN及AlyInzGa1-y-zN层，GaN层的厚度随着循环堆叠的周期数增大而逐渐增大，InxGa1-xN层和AlyInzGa1-y-zN层的厚度随着循环堆叠的周期数增大而逐渐减小。
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百度查询： 福建兆元光电有限公司 一种混色的外延结构及制作方法
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