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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件终端耐压设计结构的制作方法，MOSFET器件具有构成耐压阵列区的沟槽，终端耐压设计结构为在耐压阵列区外围设置的耐压增大区，并且该耐压增大区与耐压阵列区逐步成型。该MOSFET器件的制作方法包括刻蚀沟槽形成耐压阵列区，及在部分沟槽底部进行深阱离子注入，其与沟道注入分别进行，形成耐压增大区。本发明终端耐压设计结构的耐压增大区能有效提升MOSFET器件的耐压性能，而保证其正常的工作区域面积，解决目前沟道离子注入场限环耐压MOSFET器件的最外围耐压环受热过程的作用，导致扩散占用面积增大，而压缩实际MOSFET器件工作区域面积的问题，并且不受沟道离子注入的调整影响到终端区的耐压。
主权项：1.一种MOSFET器件终端耐压设计结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在N型重掺杂半导体衬底上生长一层N型轻掺杂外延层；S2、在N型轻掺杂外延层中通过光刻和刻蚀工艺形成有源区沟槽和耐压阵列区沟槽，所述耐压阵列区沟槽数量n≥2；S3、在有源区沟槽、耐压阵列区沟槽及N型轻掺杂外延层表面通过热氧化工艺生长一层牺牲氧化层；S4、通过光刻工艺，在耐压阵列区沟槽的第2至第i个沟槽下进行P型深阱离子注入形成耐压增大区；S5、通过刻蚀工艺去除牺牲氧化层，并通过热氧化工艺重新生长一层栅极氧化层；再通过淀积工艺淀积一层N型重掺杂多晶硅层，再通过回刻工艺将多晶硅层刻蚀；S6、通过离子注入的方式形成P型沟道离子注入层，沟道注入不需要光刻工艺；后通过光刻和离子注入的方式形成N型重掺杂源极层，所述耐压增大区的顶部与P型沟道离子注入层的底部相接触；S7、通过淀积工艺在N型重掺杂源极层表面淀积隔离二氧化硅层，后通过光刻和刻蚀工艺形成接触孔；S8、通过溅射工艺在晶圆表面溅射一层金属层，并通过光刻和刻蚀工艺定义出源极区金属层和耐压阵列区沟槽的耐压阵列区金属层，通过研磨工艺将晶圆背面减薄后，再通过金属蒸镀工艺形成漏极区金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华羿微电子股份有限公司 一种MOSFET器件终端耐压设计结构的制作方法
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