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申请/专利权人：西南交通大学

摘要：本发明涉及SiCMOSFET技术领域，具体公开了一种SiCMOSFET振荡抑制电路，针对现有的开关振荡抑制方法驱动设计复杂、抑制效果有限、开关损耗增大的问题，所设计的SiCMOSFET振荡抑制电路包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2以及电容C1，在器件开关暂态过程中，该电路不仅能够很好地箝位器件关断期间漏源极电压超调，而且不会影响器件的开通和关断速度，不会增加开关损耗；该电路主要使用二极管、电阻和电容等无源器件，设计方法非常简单，易于实现；当输入电压或栅极电阻等电路参数发生变化时，该电路均能有效抑制箝位电容电压下的开关振荡。此外，与RC方法相比，该电路具有更小的振荡峰值。

主权项：1.一种SiCMOSFET振荡抑制电路，其特征在于，连接在双脉冲电路中，包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2以及电容C1；所述双脉冲电路包括输入电压Vin、去耦电容C、第一SiCMOSFET管Q1、第二SiCMOSFET管Q2、电感L、驱动电压VG，所述去耦电容C并联在所述输入电压Vin两端，所述第一SiCMOSFET管Q1的漏极连接所述输入电压Vin的正极端，所述第一SiCMOSFET管Q1的源极连接所述电感L后连接所述第一SiCMOSFET管Q1的漏极，所述第一SiCMOSFET管Q1的源极连接所述第二SiCMOSFET管Q2的漏极，所述第二SiCMOSFET管Q2的栅极连接驱动电压VG后与所述第二SiCMOSFET管Q2的源极共同连接所述输入电压Vin的负极端；所述第一电阻R1的一端和所述第二电阻R2的一端共同连接所述第一SiCMOSFET管Q1的漏极；所述第二电阻R2的另一端反向连接所述第二二极管D2后连接所述电容C1的一端和所述第一二极管D1的负极端，所述电容C1的另一端连接所述第二SiCMOSFET管Q2的源极，所述第一二极管D1的正极端连接所述第二SiCMOSFET管Q2的漏极；所述第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2以及电容C1的参数设计需使得所述SiCMOSFET振荡抑制电路在关断所述第二SiCMOSFET管Q2的过程中依次处于第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段这四个阶段；所述第一阶段在时间段t0-t1之间，具体为：当所述第二SiCMOSFET管Q2的驱动电压VG由高电平变为低电平时，Q2关断，此时所述电容C1的电压保持恒定，等于输入电压Vin，在此期间，所述第一二极管D1的阴极电压高于阳极电压，被反向阻断，这个过程直到所述第二SiCMOSFET管Q2的驱动电压VG降至Vth+ILgm为止，其中Vth表示器件阈值电压，gm表示跨导，IL表示电感电流；所述第二阶段在时间段t1-t2之间，具体为：在驱动电压VG的作用下，所述第二SiCMOSFET管Q2的漏-源极电压vds逐渐上升，此时，所述电容C1两端的电压vC1仍然等于所述输入电压Vin，所述第一二极管D1的阴极电压仍然高于阳极电压，因此，所述第一二极管D1仍被反向阻断，直到所述第二SiCMOSFET管Q2的漏-源极电压vds达到vC1和二极管D1的电压降VD1之和；所述第三阶段在时间段t2-t3之间，具体为：当所述第二SiCMOSFET管Q2的漏-源极电压vds达到所述输入电压Vin时，vds将继续上升并且振荡，此时，所述第一二极管D1的阳极电压高于阴极电压，所述第一二极管D1将会正向导通，所述电容C1开始箝位vds，抑制vds的过冲和振荡，在这一阶段，所述电容C1与所述第二SiCMOSFET管Q2的漏-源极电容Cds并联；当vds的过冲电压对所述电容C1充电时，会产生箝位电流iC1，将减少流过Q2的漏-源极电容Cds的电流；所述第四阶段在时间段t3-t4之间，具体为：所述第二SiCMOSFET管Q2完全关断后，Q2的漏-源极电压vds降至Vin，电容C1上的电压将高于输入电压Vin，从而达到最大电压VC1_max，所述第一二极管D1的阴极电压会高于阳极电压，导致所述第一二极管D1被反向阻断，在此阶段，电容C1中的电压vC1将从VC1_max逐渐下降，当vC1降为Vin时，该阶段结束。

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