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申请/专利权人：强华时代(成都)科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种集成异质结沟槽栅场效应晶体管，包括自下而上依次层叠设置的n型硅衬底、第一导电类型场截至层和第一导电类型半导体漂移区，导电模块包括由外至内依次设置的第二导电类型电场屏蔽区a、第二导电类型半导体深阱区、第二导电类型电场屏蔽区b和部分的第二类导电材料。本申请在传统沟槽栅MOSFET器件结构的基础上，设置了六边形的沟槽，使器件沟道面积增大从而增大电流密度减小导通电阻，同时“缺口”型结构的设置及P型屏蔽层延缓了栅极的电场强度，提升了器件的可靠性，设置集成了异质结二极管，改善体二极管，显著降低器件的反向恢复电荷和反向开启电压，改善了开关特性，从而降低了总的开关损耗。
主权项：1.一种集成异质结沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的n型硅衬底（10）、第一导电类型场截至层（9）和第一导电类型半导体漂移区（8），所述第一导电类型半导体漂移区（8）上设有多个依次排列的导电模块，且相邻两个导电模块对称设置，所述导电模块包括由外至内依次设置的第二导电类型电场屏蔽区a（71）、第二导电类型半导体深阱区（5）、第二导电类型电场屏蔽区b（72）和部分的第二类导电材料（6）；其中，所述第二导电类型半导体深阱区（5）上表面设有第二导电类型空穴注入区（3）和第一导电类型电子发射区（2），在所述第二导电类型半导体深阱区（5）与第二导电类型电场屏蔽区b（72）之间镶嵌有第一导电类型沟槽多晶硅区（1），在第二类导电材料（6）的顶部两侧的凹槽中设有第一导电类型半导体区（4），且第二导电类型电场屏蔽区a（71）、第二导电类型空穴注入区（3）、第一导电类型电子发射区（2）、第一导电类型沟槽多晶硅区（1）、第二导电类型电场屏蔽区b（72）第一导电类型半导体区（4）和第二类导电材料（6）的上表面均位于同一水平面上；其中，所述第一导电类型沟槽多晶硅区（1）的部分嵌入并与第二导电类型电场屏蔽区b（72）直接接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 强华时代(成都)科技有限公司 一种集成异质结沟槽栅场效应晶体管
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