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申请/专利权人:浙江英洛华磁业有限公司
摘要:本发明公开了一种基于复合扩散源蒸镀扩散的高性能R‑T‑B稀土永磁体及其制备方法:采用饱和蒸气压相近的Dy和Ga元素作为扩散源主要成分制备复合扩散源,进行蒸镀扩散,使Ga元素与稀土元素R形成R‑Ga相隔绝主相晶粒,优化扩散通道,提升晶界扩散效果;调整合金成分,磁体中添加一定量的高熔点金属元素M2,借助M2与R‑Ga相间具有高润湿性并易分布于R‑Ga相中的特性钉扎磁体表层主相晶粒,抑制磁体表层主相晶粒在晶界扩散过程中的转动,改善扩散后磁体的剩磁,制备得到高性能R‑T‑B稀土永磁体。并且本发明复合扩散源的两种元素的挥发速度基本一致,保证扩散源在长期使用过程中的稳定性,从而提高扩散产品性能的一致性。
主权项:1.一种基于复合扩散源蒸镀扩散的高性能R-T-B稀土永磁体,其特征在于,所述磁体成分包括以下质量分数的成分:R:28.5~34.0wt.%,R包含Dy和R1,Dy含量为磁体质量分数的0.05~10.0wt.%,R的余量为R1,R1为Nd、Pr、Ho、Gd、La、Ce、Er中的至少一种,Ga:0.1~3.0wt.%;M1:0.0~5.0wt.%,M1为Al、Cu、Zn、W、Mo、V、Mn中的一种或多种,其中的0代表不含有M1;M2:0.1~2.0wt.%,M2为高熔点元素,M2为Zr、Ti和Nb中的至少一种;B:0.85~1.1wt.%;余量为T及其他不可避免杂质,T包含Fe或Fe和Co;所述磁体包含2:14:1主相颗粒、晶界富R相和含M2的晶界R-Ga相,含M2的晶界R-Ga相中,占体积比的60.0vol.%以上的晶界R-Ga相分布于磁体三主相颗粒晶界相中。
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