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申请/专利权人：大连海事大学
摘要：本发明提供一种在内部路径实现拓扑边缘态可控制的晶格电路装置，其特征在于，包括：交替变化的电感模拟晶格内部跃迁强度与外部跃迁强度，晶格内部的每个格点采用接地电容进行模拟。在性能上，本发明通过对电路晶格系统的改进，成功实现了边缘态在内部出现路径的精确控制。这种控制能力的提升使得系统能够在特定的带隙频率处，于系统边缘实现高效的传输效率峰值，而在其他频率范围则保持较低的传输率。
主权项：1.一种在内部路径实现拓扑边缘态可控制的晶格电路装置，其特征在于，包括：交替变化的电感模拟晶格内部跃迁强度与外部跃迁强度，晶格内部的每个格点采用接地电容进行模拟。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连海事大学 一种在内部路径实现拓扑边缘态可控制的晶格电路装置及电路调控方法
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