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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
摘要：本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使得生产的硅片缺陷表征准确性和一致性高。
主权项：1.一种氯化氢高温蚀刻设备的校准方法，其特征在于，包括提供第一硅片与第二硅片，所述第一硅片与所述第二硅片的缺陷类型和数量一致；将所述第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；检测所述第一待测硅片，得到表征其缺陷数量和分布的第一校验参数；将所述第二硅片放入待校准设备进行与所述第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；检测所述第二待测硅片，得到表征其缺陷数量和分布的第二校验参数；通过氯化氢蚀刻方法表征的缺陷数量对温度敏感、而且有单一关系比较所述第一校验参数和所述第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校所述待校准设备，当判定满足所述预设条件时，判定所述待校准设备的工艺能力已校准至所述已校准设备的工艺能力同一水平，设定表征所述第一待测硅片的缺陷为一种类型的缺陷，且与表征第二待测硅片的缺陷类型相同，所述第一硅片氯化氢高温蚀刻的方法为：在850～1000℃的温度下对所述第一硅片进行氯化氢高温蚀刻。
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