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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的腔室内设置有基板支承器。基板支承器具有下部电极及静电卡盘。匹配电路在电源与下部电极之间连接。第1电路径将匹配电路与下部电极彼此连接。不同于下部电极的第2电路径以从匹配电路向聚焦环供给电力的方式设置。鞘调节器构成为调节聚焦环上的鞘的上端的位置。可变阻抗电路设置于第1电路径或第2电路径上。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其具备：腔室；基板支承器，具有下部电极及设置于该下部电极上的静电卡盘，并构成为在所述腔室内支承载置于其上的聚焦环及基板；电源，构成为产生具有周期性的电力，由该电源产生的所述电力的各周期包括第1部分期间及与该第1部分期间不同的第2部分期间；匹配电路，在所述电源与所述下部电极之间连接；第1电路径，将所述匹配电路与所述下部电极彼此连接；第2电路径，是不同于所述下部电极及所述第1电路径的第2电路径，并以从所述匹配电路向所述聚焦环供给所述电力的方式设置；鞘调节器，构成为调节所述聚焦环上的鞘的上端在铅垂方向上的位置；及可变阻抗电路，设置于所述第1电路径或所述第2电路径上，所述鞘调节器是构成为向所述聚焦环施加负极性的电压的电源，所述鞘调节器在所述第1部分期间向所述聚焦环施加的所述负极性的电压的电平与所述鞘调节器在所述第2部分期间向所述聚焦环施加的所述负极性的电压的电平不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及蚀刻方法
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