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申请/专利权人：吉林大学
摘要：本发明的一种Cu掺杂Ga2‑XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用，属于纳米材料制备技术领域。用去离子水配置浓度为0.05gmL的聚醚P123溶液；将硝酸镓、硝酸铟、硝酸铜混合并加入聚醚P123溶液，搅拌形成均匀混合溶液；在搅拌条件下，缓慢加入乙二醇、氢氧化钾溶液，210摄氏度加热50分钟；清洗反应产物，离心去除上清液，得到Cu掺杂Ga2‑XInXO3固溶体纳米颗粒。以所述固溶体纳米材料作为空穴传输层，可以制备钙钛矿太阳电池。本发明工艺简单、制备温度低、掺杂量易于控制，晶粒尺寸可调节、实验重复性好，制备的产物用于钙钛矿太阳电池的空穴传输层中，进一步提高了钙钛矿太阳电池的光电转换效率。
主权项：1.一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：1用去离子水配置浓度为0.05gmL的聚醚P123溶液；2用去离子水配置浓度为0.028gmL的氢氧化钾溶液；3将反应物硝酸镓、硝酸铟、硝酸铜混合放入烧杯，并加入步骤1配置好的聚醚P123溶液，搅拌形成均匀混合溶液；其中，每1mmol硝酸镓使用3.42mL聚醚P123溶液，按摩尔比，硝酸镓:硝酸铟:硝酸铜＝1:0.111～0.667:0.034～0.051；4在搅拌条件下，向步骤3得到的溶液缓慢加入乙二醇，继续搅拌形成均匀混合溶液；每1mmol硝酸镓使用2.92mL乙二醇；5在搅拌条件下，向步骤4得到的溶液缓慢加入步骤2配置好的氢氧化钾溶液，继续搅拌形成均匀混合溶液；每1mmol硝酸镓使用6.25mL氢氧化钾溶液；6搅拌结束后，将步骤5得到的均匀混合溶液转移至反应釜，210摄氏度加热50分钟；7待步骤6中的水热反应结束且反应釜冷却后，依次用水、氨水、异丙醇清洗反应产物，离心去除上清液，得到Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉林大学 一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用
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