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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本文提供了形成具有一个或多个源极或漏极区域的半导体器件的技术，所述一个或多个源极或漏极区域具有使用电介质壁分离的背面触点。在示例中，第一半导体器件包括从第一源极或漏极区域延伸的第一半导体区域例如一个或多个第一纳米带，并且第二半导体器件包括从与第一源极或漏极区域相邻的第二源极或漏极区域延伸的第二半导体区域例如一个或多个第二纳米带。第一导电触点邻接第一源极或漏极区域的下侧，并且第二导电触点邻接第二源极或漏极区域的下侧。电介质壁在第一触点和第二触点之间延伸，从而分离它们以免彼此接触。电介质壁还在第一源极或漏极区域与第二源极或漏极区域之间延伸。
主权项：1.一种集成电路，包括：第一半导体器件，所述第一半导体器件具有在第一方向上从第一源极或漏极区域延伸的第一半导体区域和在第二方向上在所述第一半导体区域之上延伸的第一栅电极；第二半导体器件，所述第二半导体器件具有在所述第一方向上从第二源极或漏极区域延伸的第二半导体区域和在所述第二方向上在所述第二半导体区域之上延伸的第二栅电极，所述第二源极或漏极区域沿着所述第二方向与所述第一源极或漏极区域相邻；在所述第一源极或漏极区域的下侧上的第一导电触点和在所述第二源极或漏极区域的下侧上的第二导电触点；以及电介质壁，所述电介质壁在所述第一方向上在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间延伸并接触所述第一栅电极和所述第二栅电极，所述电介质壁在所述第一方向上在所述第一源极或漏极区域和所述第二源极或漏极区域之间延伸，并且所述电介质壁在所述第一方向上在所述第一导电触点和所述第二导电触点之间延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 用于半导体器件的隔离背面触点
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