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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本文公开了用于堆叠器件结构的具有高热稳定性的器件层级互连件。示例性堆叠半导体结构包括：上部源极漏极接触件，设置在上部外延源极漏极上；下部源极漏极接触件，设置在下部外延源极漏极上；以及源极漏极通孔，连接至上部源极漏极接触件和下部源极漏极接触件。源极漏极通孔设置在上部源极漏极接触件上，源极漏极通孔在上部源极漏极接触件下方延伸，并且源极漏极通孔包括钌和铝。在一些实施例中，源极漏极通孔包括由铝衬垫包裹的钌插塞。在一些实施例中，源极漏极通孔包括铝化钌插塞。在一些实施例中，源极漏极通孔包括由铝化钌衬垫包裹的钌插塞。在一些实施例中，源极漏极通孔在下部外延源极漏极的顶部下方延伸。本申请的实施例还涉及半导体器件、半导体结构及其形成方法。
主权项：1.一种形成半导体结构的方法，包括：形成至上部外延源极漏极的上部源极漏极接触件；形成暴露所述上部源极漏极接触件的源极漏极通孔开口，其中，所述源极漏极通孔开口在所述上部外延源极漏极下方延伸；在所述源极漏极通孔开口中形成包括钌和铝的源极漏极通孔，其中，所述源极漏极通孔设置在所述上部源极漏极接触件上；形成暴露下部外延源极漏极和所述源极漏极通孔的下部源极漏极接触开口；以及在所述下部源极漏极接触开口中形成下部源极漏极接触件，其中，所述源极漏极通孔连接所述上部源极漏极接触件和所述下部源极漏极接触件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件、半导体结构及其形成方法
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