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申请/专利权人：浙江晶诚新材料有限公司
摘要：本发明涉及一种带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用，该带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座的制备方法，包括以下步骤：将SiO粉体以及石墨基座置于反应容器中，石墨基座位于所述SiO粉体的挥发路径上；对反应容器进行抽真空处理并加热至1100℃‑1800℃，然后向反应容器中通入流量为100sccm‑1000sccm的惰性气体并保温，SiO粉体挥发形成SiO气体与石墨基座反应，在石墨基座的内部以及表面形成碳化硅；以及控制反应容器的温度在1100℃‑1500℃之间，向反应容器中通入稀释气体、硅源以及还原性气体在石墨基座的表面进行化学气相沉积反应，得到带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座。采用该制备方法制得的带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座具有优异的抗热震性能。
主权项：1.一种带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将SiO粉体以及石墨基座置于反应容器中，所述石墨基座位于所述SiO粉体的挥发路径上；对所述反应容器进行抽真空处理并加热至1100℃-1800℃，然后向所述反应容器中通入流量为100sccm-1000sccm的惰性气体并保温，所述SiO粉体挥发形成的SiO气体与所述石墨基座反应，在所述石墨基座的内部以及表面形成碳化硅；以及控制所述反应容器的温度在1100℃-1500℃之间，向所述反应容器中通入稀释气体、硅源以及还原性气体在所述石墨基座的表面进行化学气相沉积反应，得到带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座，所述嵌入式碳化硅涂层包括嵌入部分以及表层部分，所述表层部分中SiC晶粒呈类金字塔状。
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