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用于具有更高阵列效率的3D相变存储器的阵列和CMOS架构 

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申请/专利权人:长江先进存储产业创新中心有限责任公司

摘要:一种三维存储器架构,包括存储单元的顶部单元阵列、存储单元的底部单元阵列、耦合到该阵列的多个字线、以及耦合到字线并且可操作用于选择性地激活字线的多个字线解码器。多个字线解码器从底部单元阵列的第一边缘延伸并从底部单元阵列的第二边缘延伸,第二边缘与第一边缘相对,其中多个字线解码器包括字线解码器的第一部分和字线解码器的第二部分,其中字线解码器的第一部分相对于字线解码器的第二部分沿着平行于或基本平行于第一边缘和第二边缘的方向偏移。

主权项:1.一种三维存储器,包括:存储单元的顶部单元阵列;存储单元的底部单元阵列;多个字线,所述多个字线耦合至所述顶部单元阵列并耦合至所述底部单元阵列;两组位线,所述两组位线包括耦合至所述顶部单元阵列的一组顶部单元位线和耦合至所述底部单元阵列的一组底部单元位线;多个字线解码器,所述多个字线解码器通过多个字线触点耦合到所述字线,并且可操作用于选择性地激活所述字线;以及两组位线解码器,所述两组位线解码器包括一组顶部单元位线解码器和一组底部单元位线解码器,所述一组顶部单元位线解码器通过多个顶部单元位线触点耦合到所述顶部单元位线,并且可操作用于选择性地激活所述顶部单元位线,并且所述一组底部单元位线解码器通过多个底部单元位线触点耦合到所述底部单元位线,并且可操作用于选择性地激活所述底部单元位线,其中,所述多个字线解码器从所述底部单元阵列的第一边缘延伸到所述一组底部单元位线解码器的第一部分并从所述底部单元阵列的第二边缘延伸到所述一组底部单元位线解码器的第二部分,所述第二边缘与所述第一边缘相对,其中,所述多个字线解码器包括字线解码器的第一部分和字线解码器的第二部分,并且其中,所述字线解码器的第一部分相对于所述字线解码器的第二部分沿着平行于或基本平行于所述第一边缘和所述第二边缘的方向偏移,并且其中,沿着平行于所述第一边缘和所述第二边缘的方向,所述第一部分与所述一组底部单元位线解码器的第二部分相邻,所述第二部分与所述一组底部单元位线解码器的第一部分相邻。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 用于具有更高阵列效率的3D相变存储器的阵列和CMOS架构

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