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申请/专利权人:北京红树蓝树技术有限公司
摘要:本申请公开了一种VDF构造方法、芯片、应用、产品、装置及介质。其中,VDF构造方法输入参数包括初态和时间参数t,输出VDF初态,t,包括:直接或间接构造VDF的单向可逆函数S组件,其中所述S组件的定义是前向逻辑的计算延迟显著大于反向逻辑计算延迟的可逆函数;在计算阶段执行以下操作:VDF计算过程的a个中间状态,和或,FA0,Ab=SA0⊕Ab,△间接构造VDF,其中t能被△*b整除;在验证阶段执行以下操作:接收初态和a+1个状态;以及,并行地使用若干个S‑1逻辑实现a+1个VDF‑1验证任务。
主权项:1.一种VDF构造方法,输入参数包括初态和时间参数t,输出VDF初态,t;其特征在于,包括:直接或间接构造VDF的单向可逆函数S组件,其中所述S组件的定义是前向逻辑的计算延迟显著大于反向逻辑计算延迟的可逆函数;定义FA0,Ab=SA0⊕Ab,△结构,所述结构的递归方程是,VDF{Ab,Ab-1,…,A0},△*b={A2b-1,…,Ab+1,Ab},其中,Ab+k+1=SAk⊕Ab+k,△,k取0到b,△为粒度参数,t能被△*b整除,b+1为初态的符号个数,初态={Ab,Ab-1,…,A0};在计算阶段执行以下操作:VDF计算过程的a个中间状态,和或,FA0,Ab=SA0⊕Ab,△结构间接构造VDF;在验证阶段执行以下操作:接收初态和a+1个状态;以及,并行地使用若干个S-1逻辑实现a+1个VDF-1验证任务;其中,计算阶段对应一个深度为a+1*bb:1的级联结构连接的S逻辑的串行电路装置,验证阶段对应一个宽度为a+1*bb:1由并行结构连接的S-1逻辑的并行电路装置。
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百度查询: 北京红树蓝树技术有限公司 VDF构造方法、芯片、应用、产品、装置及介质
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