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申请/专利权人：江苏晋誉达半导体股份有限公司

摘要：本发明公开了一种全数字化控制智能自诊断离子注入方法，该离子注入方法包括以下步骤：S1、初始化操作，预先加载离子注入工艺参数和对应的自诊断工艺参数范围，进行自诊断；S2、输入本次离子注入工艺参数；自诊断模块预测本次离子注入工艺参数的合理性和潜在问题，并自动调整问题参数；S3、根据执行工艺参数进行注入室内的粗真空和高真空的建立；S4、按照执行工艺参数进行离子注入；S5、根据离子注入剂量的实时波动优化执行工艺参数；S6、离子注入完成后，生成注入结果报告储存至储存模块中。该离子注入方法引入了自诊断，可以在离子注入工艺参数出现波动时进行快速调整，以尽快恢复到正常工艺要求，保证离子注入剂量的稳定。

主权项：1.一种全数字化控制智能自诊断离子注入方法，该离子注入方法作用于离子注入机，该离子注入机包括电源分配模块、主机控制模块、气体模块、循环水模块、真空建立模块、离子源模块、引出模块、离子分析模块、加减速模块、扫描模块、剂量控制模块、电子淋浴模块、硅片进出模块和传感器检测模块，其特征在于：所述电源分配模块将动力电转化成各模块所需要的交流和直流电输出给各模块，并对每一路的输出电压和输出电流进行实时监测；所述主机控制模块控制离子注入机各模块协调工作，该主机控制模块包含了输入显示模块、分析处理模块、储存模块、自诊断模块和通讯模块；先通过输入显示模块输入预设的离子注入工艺参数和与每套离子注入工艺参数配套的自诊断工艺参数范围并储存在储存模块中形成预设库；分析处理模块用于分析和控制离子注入设备的工作状态，所述通讯模块与其他模块之间进行数字通讯；该离子注入方法包括以下步骤：S1、分析处理模块启动设备并进行初始化操作，分析处理模块和自诊断模块分别预先加载离子注入工艺参数和对应的自诊断工艺参数范围；自诊断模块先根据电源分配模块输出的电流和电压大小对电控层进行自诊断，在电源分配模块完全正常后进入下一步骤；S2、通过输入显示模块输入本次离子注入工艺参数；分析处理模块将本次离子注入工艺参数与预设库中的工艺参数比对；若预设库中有与输入的离子注入工艺参数相同的工艺参数，则调用预设的工艺参数作为执行工艺参数；若预设库中没有该工艺参数，则自诊断模块根据本次离子注入工艺参数与预设库中的工艺参数比对，得到相似度最高的离子注入工艺参数，自诊断模块分析相似最高的离子注入工艺参数和本次离子注入工艺参数中的区别点，并根据该区别点与离子注入剂量之间的关联性，预测本次离子注入工艺参数的合理性和潜在问题，并根据自诊断工艺参数范围自动调整问题参数，最终将本次调整后的离子注入工艺作为执行工艺参数并再次储存到储存模块中；S3、主机控制模块确定气体模块、真空建立模块和循环水模块正常后根据执行工艺参数进行注入室内的粗真空的建立，当且仅当粗真空达到设定值后再进行高真空的建立；S4、当高真空环境建立完成后，离子源模块、引出模块、离子分析模块、加减速模块、扫描模块、剂量控制模块、电子淋浴模块和硅片进出模块启动，按照执行工艺参数进行离子注入；S5、传感器模块实时监测离子注入过程中的各种数据，剂量控制模块实时监控离子注入剂量，自诊断模块实时分析离子注入过程中的各种数据以及实时监控的离子注入剂量，并根据离子注入剂量的实时波动优化执行工艺参数，并将优化执行参数发送给主机控制模块作为工艺调整参考；当自诊断模块分析离子注入过程中的离子注入剂量数值超过预设阈值时，自诊断模块进行自诊断从预设库中选取最接近的工艺参数作为目标工艺参数，主机控制模块以目标工艺参数为基准调整执行工艺参数使离子注入剂量恢复到设定值；S6、离子注入完成后，主机控制模块收集并分析最终工艺参数，生成注入结果报告储存至储存模块中。

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