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申请/专利权人：威海华浦电子科技有限公司
摘要：本发明涉及一种ITO透明导电膜玻璃的制备方法，该ITO透明导电膜玻璃的制备方法,包括如下步骤：S1：清洁玻璃衬底，烘干备用；S2：在玻璃衬底上基于溅射条件1生长第一膜层；S3：在第一膜层上基于溅射条件2生长第二膜层；S4：在第二膜层上基于溅射条件1生长第三膜层；S5：退火处理，即得；其中，第一膜层和第三膜层为60‑80nm的ITO高透膜层；第二膜层为60‑100nm的Zr‑Nb共掺杂的ITO高导膜层；且第一膜层和第二膜层生长后分别采用13‑16％的磷酸处理膜层表面10‑15min，之后去离子水冲洗、干燥。该制备方法，通过不同ITO膜层设计和处理，达到了同时优化膜导电性和透过性的目的。
主权项：1.一种ITO透明导电膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：清洁玻璃衬底，烘干备用；S2：在玻璃衬底上基于溅射条件1生长第一膜层；S3：在第一膜层上基于溅射条件2生长第二膜层；S4：在第二膜层上基于溅射条件1生长第三膜层；S5：退火处理，即得；其中，第一膜层和第三膜层为60-80nm的ITO高透膜层；第二膜层为60-100nm的Zr-Nb共掺杂的ITO高导膜层；且第一膜层和第二膜层生长后分别采用13-16％的磷酸处理膜层表面10-15min，之后去离子水冲洗、干燥；溅射条件1：采用ITO陶瓷靶，靶中氧化铟和氧化锡的重量比为9:1，直流溅射功率80-110w；真空度10-4Pa,工作压强为0.32-0.35Pa，氩气流量为40sccm；氧气流量为4sccm；溅射条件2：采用ITO陶瓷靶和Zr-Nb2O5靶共溅射；前靶中氧化铟和氧化锡的重量比为9:1，直流溅射功率40-60W；后靶中锆和氧化铌的重量比为3:1，射频溅射功率8-10.5W；真空度10-4Pa；工作压强为0.48-0.52Pa；氩气流量为45sccm；氧流量0.3sccm。
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权利要求：
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