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一种导电性硅碳负极材料的制备方法 

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申请/专利权人:天津市职业大学

摘要:本发明公开了一种导电性硅碳负极材料的制备方法,采用原位形成的石墨相氮化碳同时作为纳米二氧化硅热还原为纳米硅的还原剂和载体活性炭的成孔剂,在560‑800℃下热还原氧化铟锡‑二氧化硅复合导电膜包覆的g‑C3N4‑C复合材料为导电性纳米硅碳负极材料,掺氧化锡铟‑二氧化硅复合导电膜是其凝胶膜在550℃高温下烧结形成的;g‑C3N4‑C复合材料是复合导电膜包覆的苯酚甲醛‑三聚氰胺甲醛共聚物在400‑550℃下焙烧形成的。本发明中g‑C3N4还原剂使纳米二氧化硅热还原为纳米硅的温度降低到560‑800℃,大幅降低了能耗;同时克服了硅碳负极材料制备成本高和充电过程中体积膨胀过大及导电性差的缺陷,具有产业化应用前景。

主权项:1.一种导电性硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:纳米氧化铟锡-二氧化硅复合水溶胶的制备;S2:苯酚甲醛-三聚氰胺甲醛共聚物的制备;S3:向步骤S1得到的纳米氧化铟锡-二氧化硅复合水溶胶中,加入步骤S2得到的苯酚甲醛-三聚氰胺甲醛共聚物,得到复合导电膜水溶胶包覆的苯酚甲醛-三聚氰胺甲醛共聚物干凝胶;S4:将步骤S3得到的复合导电膜包覆的苯酚甲醛-三聚氰胺甲醛共聚物干凝胶高温处理,得到复合导电膜包覆的g-C3N4-C复合材料;S5:将步骤S4得到的复合导电膜包覆的g-C3N4-C复合材料进一步高温处理,得到导电性纳米硅碳负极材料。

全文数据:

权利要求:

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