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闪存、快闪存储单元及其操作方法 

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申请/专利权人:旺宏电子股份有限公司

摘要:本发明公开了一种闪存、快闪存储单元及其操作方法。快闪存储单元包括整流元件以及晶体管。整流元件具有输入端耦接至位线。晶体管具有一电荷存储结构。晶体管具有第一端耦接至整流元件的输出端,晶体管具有第二端耦接至源极线,晶体管的控制端耦接至字线。

主权项:1.一种快闪存储单元,其中,包括:一整流元件,具有输入端耦接至一位线;以及一晶体管,具有一电荷存储结构,该晶体管具有第一端耦接至该整流元件的输出端,该晶体管具有第二端耦接至一源极线,该晶体管的控制端耦接至一字线;其中,该晶体管为栅极全环晶体管,并具有一氧化硅-氮化硅-氧化硅结构以作为该电荷存储结构,该晶体管还包括:一衬底,一第一掺杂区,耦接至该源极线;一多晶硅结构,设置在该第一掺杂区上;一氧化硅-氮化硅-氧化硅结构;一内存栅极,环绕该多晶硅结构并耦接至该字线,其中该氧化硅-氮化硅-氧化硅结构设置在该内存栅极与该多晶硅结构间;一第二掺杂区,设置在该多晶硅结构的上方;以及一第三掺杂区,设置在该第二掺杂区的上方,并耦接至该位线,其中,该第一掺杂区与该第二掺杂区具有相同的导电极性,该第二掺杂区与该第三掺杂区具有不同的导电极性。

全文数据:

权利要求:

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