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一种表面增强拉曼芯片 

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申请/专利权人:国家纳米科学中心

摘要:本发明涉及一种表面增强拉曼芯片,所述表面增强拉曼芯片包括衬底,设置于衬底一侧表面的纳米柱阵列;所述衬底表面及纳米柱阵列的表面覆盖金属层;所述衬底表面的金属层以及纳米柱阵列的顶面金属层,覆盖有钝化层。所述表面增强拉曼芯片的结构简单,通过本领域常规方法即可制备,该表面增强拉曼芯片的结构能够提高纳米柱阵列的侧壁利用率,具有活性强、稳定性好以及重现性高等优势,便于在物质检测领域中的推广应用。

主权项:1.一种表面增强拉曼芯片,其特征在于,所述表面增强拉曼芯片包括衬底,设置于衬底一侧表面的纳米柱阵列;所述衬底表面及纳米柱阵列的表面覆盖金属层;所述衬底表面的金属层以及纳米柱阵列的顶面金属层,覆盖有钝化层;所述纳米柱阵列的侧壁只覆盖金属层;覆盖纳米柱阵列表面的金属层包括顶面金属层与侧壁金属层,所述顶面金属层的厚度为60-200nm,侧壁金属层厚度为60-200nm;所述钝化层的厚度为0.5-30nm;所述钝化层的材质包括二氧化硅、氮化铝、氧化镁或氧化铝中的任意一种或至少两种的组合;所述纳米柱阵列的侧壁金属层用于设置敏感探针;所述纳米柱阵列中,纳米柱的顶面形状为正六边形。

全文数据:

权利要求:

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