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申请/专利权人：苏州半导体总厂有限公司
摘要：本申请提供一种光敏三极管及其制备方法，管芯，管芯包括：N型轻掺杂外延层；P型轻掺杂区，位于N型轻掺杂外延层内；P型重掺杂区，位于P型轻掺杂区的外围；N型重掺杂区，位于P型轻掺杂区内，N型重掺杂区为光敏三极管的发射区。上述光敏三极管中，在P型轻掺杂区外围形成有P型重掺杂区，可以大大降低表面态对光敏三极管的影响，可以显著降低集电极与发射区之间的漏电流。
主权项：1.一种光敏三极管，其特征在于，包括管芯，所述管芯包括：外延片，包括N型重掺杂基底及位于所述N型重掺杂基底上表面的N型轻掺杂外延层，所述外延片作为所述光敏三极管的集电极；P型重掺杂区，位于P型轻掺杂区的外围；P型轻掺杂区，位于所述N型轻掺杂外延层内，所述P型重掺杂区与所述P型轻掺杂区共同构成所述光敏三极管的基区；N型重掺杂区，位于所述P型轻掺杂区内；所述N型重掺杂区为所述光敏三极管的发射区；所述P型重掺杂区的面积大于所述P型轻掺杂区的面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州半导体总厂有限公司 光敏三极管及其制备方法
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