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申请/专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司

摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，具体是一种具有表面强化的氮化铝覆铝陶瓷基板制备方法。本发明通过在覆铝陶瓷基板表面进行清洗、印刷银铝浆料，得到覆铝陶瓷基板A。再将覆铝陶瓷基板A进行真空烧结，得到覆铝陶瓷基板B。再对将覆铝陶瓷基板B进行表面抛刷、均质处理，得到覆铝陶瓷基板C。再将覆铝陶瓷基板C依次进行表面抛刷、浸锌、酸洗、二次浸锌，制备得到覆铝陶瓷基板D。最后对覆铝陶瓷基板D表面进行化学镀镍，制备得到成品。本发明制备得到的成品具有良好的表面硬度，可以有效减少表面形变，并且均质处理可以有效减少表面的区域性坑洞，提升综合性能。

主权项：1.一种具有表面强化的氮化铝覆铝陶瓷基板制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：印刷浆料：将覆铝陶瓷基板进行表面清洗，再使用印刷网框在覆铝陶瓷基板的铝面印刷银铝浆料，得到覆铝陶瓷基板A；其中银铝浆料成分为：以质量分数计，20-30％高纯铝粉、50-60％高纯银粉，余量为有机载体；高纯铝粉粒径为1-3μm；高纯银粉粒径为1-2μm；有机载体成分为：以质量分数计，4-6％硬脂酸、5-7％乙基纤维素、3-5％邻苯二甲酸二异壬酯、6-8％十二碳醇酯，余量为松油醇；步骤二：真空烧结：将覆铝陶瓷基板A进行真空烧结，先于400-500℃排胶2-3h，再于570-620℃保温0.5-1.0h，随后随炉冷却至20-25℃，得到覆铝陶瓷基板B；其中真空烧结时真空度为3.0×10-4-3.5×10-4Pa；步骤三：均质处理：将覆铝陶瓷基板B进行表面抛刷，抛刷结束后再进行均质处理，处理结束后经碱洗酸洗，得到覆铝陶瓷基板C；均质处理时，在氮气氛围下600-630℃保温8-12h，随后随炉冷却至20-25℃；步骤四：表面处理：将覆铝陶瓷基板C进行表面抛刷，抛刷结束后将覆铝陶瓷基板C浸渍于浸锌液中30-50s，取出洗净，再浸入体积分数25-35％硝酸水溶液中二次酸洗60-120s，取出洗净，再浸入浸锌液中二次浸锌20-40s，取出洗净，得到覆铝陶瓷基板D；步骤五：镀镍处理：在覆铝陶瓷基板D表面进行化学镀镍，于80-85℃化学镀镍20-60min，取出洗净，得到成品。

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