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申请/专利权人：合肥久诺医药科技有限公司
摘要：本发明公开了一种蒙脱石混悬剂，其原辅料包括：蒙脱石、非离子型高分子助悬剂、矫味剂和水；其中，蒙脱石的含量为25～35wt％。本发明还公开了上述蒙脱石混悬剂的制备方法，包括以下步骤：S1、用部分水溶解高分子助悬剂得到高分子助悬介质；S2、将矫味剂溶解在高分子助悬介质中，再加入蒙脱石，真空匀质脱气，加入剩余的水混匀得到蒙脱石混悬剂中间体；S3、对蒙脱石混悬剂中间体进行真空匀质处理，然后卸压，分装，灭菌得到蒙脱石混悬剂。本发明采用非离子型高分子助悬并结合低温脱气分散法，蒙脱石悬浮均匀稳定，沉降体积比大于0.99，再分散性好，采用低温热除菌结合冷灭菌法替代防腐剂，最大限度降低微生物，保质期长。
主权项：1.一种蒙脱石混悬剂，其特征在于，其由以下原辅料组成：蒙脱石、非离子型高分子助悬剂、矫味剂和水；其中，蒙脱石的含量为25～35wt%；非离子型高分子助悬剂选自PEG4000、PEG6000、黄原胶中的至少一种；非离子型高分子助悬剂的含量为0.2～0.5wt%；矫味剂选自果糖、三氯蔗糖中的至少一种；矫味剂的含量为0.02～0.1wt%；上述蒙脱石混悬剂的制备方法，包括以下步骤：S1、用部分水溶解高分子助悬剂得到高分子助悬介质；S2、将矫味剂溶解在高分子助悬介质中，再加入蒙脱石，真空匀质脱气，加入剩余的水混匀得到蒙脱石混悬剂中间体；S3、对蒙脱石混悬剂中间体进行真空匀质处理，然后卸压，分装，灭菌得到蒙脱石混悬剂；在S2中，真空匀质脱气的真空度为-0.090～-0.050MPa；在S2中，真空匀质脱气的时间为30～60min；在S3中，真空匀质处理的具体程序为：于真空度为-0.050～-0.030MPa、温度为90～98℃的条件下，匀质30～60min，然后匀质降温至35～45℃。
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权利要求：
百度查询： 合肥久诺医药科技有限公司 一种蒙脱石混悬剂及其制备方法
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