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一种用于半导体加工的蚀刻装置 

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申请/专利权人:无锡展硕科技有限公司

摘要:本发明涉及等离子刻蚀机设备技术领域,具体涉及一种用于半导体加工的蚀刻装置,包括刻蚀机主体和射频电源安装腔,刻蚀机主体的右侧壁设有处理箱,处理箱的顶部安装有抽气泵,抽气泵的输入端连通有排气管,排气管的上端与刻蚀机主体的刻蚀腔相连通,处理箱的底部连通有吹气管,本发明提供了一种用于半导体加工的蚀刻装置,通过一系列结构的设计和使用,解决了缺乏对工艺气体刻蚀结束时产生的高温废气进行处理排放目的,在进行处理排放的同时不能达到对射频电源工作时产生的热量进行快速散热的目的,导致射频电源的使用寿命降低的问题。

主权项:1.一种用于半导体加工的蚀刻装置,包括刻蚀机主体1和射频电源安装腔2,其特征在于:所述刻蚀机主体1的右侧壁设有处理箱3,所述处理箱3的顶部安装有抽气泵4,所述抽气泵4的输入端连通有排气管5,所述排气管5的上端与所述刻蚀机主体1的刻蚀腔相连通,所述处理箱3的底部连通有吹气管6,所述吹气管6的下端贯穿所述射频电源安装腔2与吹气盘7相连通,所述射频电源安装腔2的前侧壁开设有检修槽8,所述检修槽8内扣合有检修板9;所述处理箱3内还包括由上至下依次设置的冷却液腔31和过滤腔32,所述冷却液腔31的顶壁插接有第一导气管311,且所述第一导气管311的上端与所述抽气泵4的输出端相连通,所述第一导气管311的下端延伸至所述冷却液腔31内的处理液面以下,所述冷却液腔31的底壁前后两侧插接有第二导气管312,所述第二导气管312的上端延伸至所述冷却液腔31内的处理液面以上,所述第二导气管312的下端与所述过滤腔32相连通;所述过滤腔32内还包括由上至下依次嵌设的活性炭过滤层321、空气棉过滤层322和HEPA过滤层323;所述检修板9上还包括均匀开设的散热槽孔91,且所述检修板9为铝纤维吸声板材质制成;所述检修板9的内侧端还包括均匀设置的散热铜翅片92,且所述散热铜翅片92呈U型结构设置。

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权利要求:

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