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申请/专利权人：重庆大学
摘要：本发明公开了一种TiC纳米管阵列材料及其制备方法和应用。所述TiC纳米管阵列材料为TiC纳米管生长在钛基体上，具有高度定向和高度有序性，所述TiC纳米管的管径为80nm－150nm。所述制备方法为S1、采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列；S2、将制备的TiO2纳米管阵列以5‑10℃min的升温速率加热到400℃，退火2h；S3、以混合熔盐CaCl2‑KCl‑LiCl为电解质，以退火后的TiO2纳米管阵列作为阴极，石墨棒为阳极，配入CO32‑作为碳源，在真空下进行电解，得到TiC纳米管阵列材料。所述应用为采用所述TiC纳米管阵列材料作为电极片，用于制作超级电容器。本发明制备的TiC纳米管阵列材料具有比表面积大、电子传递直接、能量密度高、柔韧性好、化学稳定性好等优点，展现出卓越的超级电容器性能。
主权项：1.一种TiC纳米管阵列材料，其特征在于，TiC纳米管生长在钛基体上，具有高度定向和高度有序性，所述TiC纳米管的管径为80nm－150nm；所述TiC纳米管阵列材料以TiO2纳米管阵列作为前驱体，在低温熔盐体系下通过电脱氧和碳化反应直接合成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 一种TiC纳米管阵列材料及其制备方法和应用
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