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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：SOI衬底，包括从下至上依次设置的第一半导体层、埋氧层及第二半导体层；凹槽，位于所述SOI衬底内，贯穿所述第二半导体层及所述埋氧层以露出所述第一半导体层；栅极结构，位于所述第二半导体层上并覆盖部分所述第二半导体层；外延层，位于所述凹槽内且至少填充所述凹槽的部分深度；介质层，整面覆盖所述栅极结构、所述外延层及剩余的所述第二半导体层；若干插塞，分别与所述外延层及所述栅极结构电性连接。外延层上的插塞将第一半导体层内的累积电荷导出，外延层的设置可以减小各插塞之间的高度差，进而减小插塞形成的工艺难度，避免所述插塞之与所述第一半导体层的接触不良。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：SOI衬底，包括从下至上依次设置的第一半导体层、埋氧层及第二半导体层；凹槽，位于所述SOI衬底内，贯穿所述第二半导体层及所述埋氧层并露出所述第一半导体层；若干栅极结构，位于所述第二半导体层上并覆盖部分所述第二半导体层；外延层，位于所述凹槽内且至少填充所述凹槽的部分深度；介质层，填充所述凹槽的剩余深度并整面覆盖所述栅极结构、所述外延层及剩余的所述第二半导体层；若干插塞，位于所述介质层内并分别与所述外延层及所述栅极结构电性连接。
全文数据：
权利要求：
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