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申请/专利权人：中节能太阳能科技(镇江)有限公司

摘要：本文提出了一种降低超薄氧化硅电池碱抛后水印花篮印的工艺方法，工艺方法依次包括预清洗‑水洗‑碱抛‑水洗‑双氧水氧化‑水洗‑酸洗‑水洗‑慢提拉‑烘干，酸洗工艺的将原本独立使用的盐酸HCl水溶液内混合加入氟化氢HF，得到混合水溶液，从而能够做到在碱抛后几乎无氧化层和多晶硅poly的匹配就能够得到极大的提高，花篮印水印EL不良问题得到有效改善，均匀性更好，开压更优，效率与无HCl工艺持平。

主权项：1.一种降低超薄氧化硅电池碱抛后水印花篮印的工艺方法，工艺方法依次包括预清洗-水洗-碱抛-水洗-双氧水氧化-水洗-酸洗-水洗-慢提拉-烘干，其特征在于，所述的工艺方法的详细内容如下；a、前预清洗：去除去硼硅玻璃BSG工艺后残留在硅片上的酸液以及其余溶于碱的杂质、有机物等，使用0.4％的氢氧化钾KOH和3％的过氧化氢H2O2混合的水溶液；b、水洗：每个功能槽之后都会经过一次水洗，使用DI纯水冲洗表面的杂质及残留的酸碱液；c、碱抛：在氢氧化钠Naoh药液中氧化硅与无氧化硅面有反应速度差，加之碱抛添加剂进一步与有氧化层面结合，额外增加氧化层的保护性,延长氧化层的破坏时间,达到在设定工艺时间内正面保护的同时完成背面抛地光，使用2.5％的氢氧化钾KOH和0.3％的添加剂混合的水溶液；d、水洗：每个功能槽之后都会经过一次水洗，使用DI纯水冲洗表面的杂质及残留的酸碱液；e、双氧水氧化：去除硅表面的添加剂残留有机物同时在硅片表面制备湿法氧化层，使用0.25％的氢氧化钾KOH和4％的过氧化氢H2O2混合的水溶液；f、水洗：每个功能槽之后都会经过一次水洗，使用DI纯水冲洗表面的杂质及残留的酸碱液；g、酸洗：中和碱残留物、去除表面金属离子，保留正面BSG，使用2％-3％的盐酸HCl和0.1-0.6％的氟化氢HF的混合水溶液；h、水洗：每个功能槽之后都会经过一次水洗，使用DI纯水冲洗表面的杂质及残留的酸碱液；i、慢提拉：40-45℃DI纯水，机械手慢速提拉花篮，防止表面留下水痕；j、烘干：在98℃高温下对硅片和花篮进行烘干600-900s，防止下料时硅片和花篮液体残留，影响后续工艺；k、氧化层厚度测量，控制氧化层厚度在1.2-1.5nm，单片膜厚差异控制在0.3nm以内。

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