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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
摘要：本发明涉及磁性存储器领域，特别是涉及一种STT‑MRAM的磁性隧道结及其制备方法，通过依次设置固定层及势垒层，得到MTJ前驱体；在所述MTJ前驱体的势垒层表面，沉积MTJ金属基底层；对所述MTJ金属基底层进行通氧氧化，得到界面调制层；在所述界面调制层表面设置自由层，得到STT‑MRAM的磁性隧道结。本申请中在设置所述势垒层之后，进一步通过沉积MTJ金属基底层，再对所述MTJ金属基底层进行通氧氧化的方式，保障与所述自由层接触的部分的氧原子充足，在所述界面调制层与所述自由层的接触面实现了充分的轨道杂化，提升了磁性隧道结的PMA，进而提升了成品磁性隧道结的磁各向异性场及热稳定性因子。
主权项：1.一种STT-MRAM的磁性隧道结的制备方法，其特征在于，包括：依次设置固定层及势垒层，得到MTJ前驱体；在所述MTJ前驱体的势垒层表面，沉积MTJ金属基底层；所述MTJ金属基底层的厚度不超过0.2纳米；对所述MTJ金属基底层进行通氧氧化，得到界面调制层；在所述界面调制层表面设置自由层，得到STT-MRAM的磁性隧道结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 一种STT-MRAM的磁性隧道结及其制备方法
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