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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：公开了一种DTC器件的制备方法，包括：提供一衬底，该衬底中形成有沟槽，该沟槽的深度和宽度的比值大于4；在衬底和沟槽的表面依次形成至少一层MIM电容多层膜结构，该MIM电容多层膜结构从下而上依次包括下电极层、介质层和上电极层；其中，在形成下电极层和上电极层的过程中，依次通过ALD工艺和PVD工艺沉积金属层形成下电极层或上电极层。本申请通过在DTC器件的制备过程中，依次通过ALD工艺和PVD工艺沉积金属层形成MIM电容的下电极层或上电极层，从而解决了仅通过PVD工艺沉积金属层所造成的沟槽的侧壁和底部覆盖薄膜的厚度较薄的问题，同时也解决了仅通过ALD工艺沉积金属层所造成的生产成本高且电阻率高的问题，在保持产品的生产成本的同时提高了产品良率。
主权项：1.一种DTC器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽，所述沟槽的深度和宽度的比值大于4；在所述衬底和沟槽的表面依次形成至少一层MIM电容多层膜结构，所述MIM电容多层膜结构从下而上依次包括下电极层、介质层和上电极层，所述MIM电容多层膜结构之间通过介质层隔离；其中，在形成下电极层和上电极层的过程中，依次通过ALD工艺和PVD工艺沉积金属层形成所述下电极层或上电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 DTC器件的制备方法
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