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申请/专利权人：中北大学
摘要：本发明为一种用于HF穿透薄层硅刻蚀SiO2的种子层结构及其制备方法，属于MEMS技术领域。所述种子层结构包括由上而下依次设置的上层金属层、下层金属层、薄层硅和SiO2层；制备时，先对薄层硅进行硼离子掺杂，再在薄层硅上磁控溅射以形成上、下层金属层，再利用光刻技术形成自定义图形金属层，再对自定义图形金属层进行高温退火处理，最后通过HF干法刻蚀技术透过自定义图形金属层及薄层硅对SiO2层进行干法刻蚀，最终在SiO2层上形成刻蚀腔体。本发明种子层结构实现了对薄层硅下的SiO2进行刻蚀时不需要刻蚀通孔的目的，并且刻蚀腔体的形状刻根据实际要求进行自定义刻蚀，极大地提高了产品的性能可靠度和测试精准度。
主权项：1.一种用于HF穿透薄层硅刻蚀SiO2的种子层结构，其特征在于：包括由上而下依次设置的上层金属层、下层金属层、薄层硅和SiO2层；其中，上层金属层和下层金属层为通过MEMS刻蚀工艺形成的自定义图形金属层，二者的形状一致，并且经过高温退火工艺处理；薄层硅通过MEMS扩散工艺进行了离子掺杂处理；SiO2层上通过HF干法刻蚀技术形成有刻蚀腔体，刻蚀腔体的位置与上层金属层及下层金属层的位置上下对应并且形状也一致。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中北大学 用于HF穿透薄层硅刻蚀SiO2的种子层结构及其制备方法
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