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申请/专利权人：华东光电集成器件研究所
摘要：本发明涉及一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法，包括以下步骤：S1、取SOI硅片，采用湿法腐蚀或干法刻蚀将SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间裸漏的埋层氧化层去除干净，保留中间顶层硅部分；S2、采用溅射或蒸发工艺，在顶层硅面及裸漏的衬底硅面制作一层金属；S3、采用光刻与腐蚀或刻蚀工艺，去除顶层硅部分金属，仅保留顶层硅与衬底硅之间的金属连接，形成顶层硅与衬底硅的导电通道；S4、将SOI硅片与玻璃片对准，进行阳极键合。本发明的有益效果是，在SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间形成导电通道，再与玻璃片进行精确的对准并键合，形成适用绝大多数应用场景的一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法。
主权项：1.一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法，其特征在于包括以下步骤：S1、取SOI硅片，采用湿法腐蚀或干法刻蚀将SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间裸漏的埋层氧化层去除干净，保留中间顶层硅部分；S2、采用溅射或蒸发工艺，在顶层硅面及裸漏的衬底硅面制作一层金属；S3、采用光刻与腐蚀或刻蚀工艺，去除顶层硅部分金属，仅保留顶层硅与衬底硅之间的金属连接，形成顶层硅与衬底硅的导电通道；S4、将SOI硅片与玻璃片对准，进行阳极键合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东光电集成器件研究所 一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法
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