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申请/专利权人：东莞理工学院
摘要：本发明公开了一种宽波段MSM型紫外探测器及其制作方法和应用，属于半导体光电器件技术领域。本发明提供的宽波段MSM型紫外探测器包括异质结；所述异质结包括叠加设置的GaN层、石墨烯层和Ga2O3层；所述石墨烯层的厚度为0.34～1.34nm。本发明提供的宽波段MSM型紫外探测器，能够有效提高基于Ga2O3GaN异质结的MSM型紫外探测器的光电流强度和响应度。本发明还提供了上述宽波段MSM型紫外探测器的制作方法和应用。
主权项：1.一种宽波段MSM型紫外探测器，其特征在于，所述宽波段MSM型紫外探测器包括异质结；所述异质结包括叠加设置的GaN层、石墨烯层和Ga2O3层；所述石墨烯层的厚度为0.34～1.34nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东莞理工学院 一种宽波段MSM型紫外探测器及其制作方法和应用
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