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申请/专利权人：达姆施塔特工业大学
摘要：公开了一种光子集成电路，包括：介质基片110；介质基片110上用于引导太赫兹THz波的介质波导装置120；以及在介质波导装置120的表面区域中具有金属化部分的局部功能化部分130。金属化部分沿着THz波的传播方向局部化，以允许THz波在局部功能化部分之外进行无金属化传播。
主权项：1.光子集成电路，具有：介质基片110；介质波导装置120，位于所述介质基片110上，用于引导太赫兹THz波；局部功能化部分，包括在所述介质波导装置120的表面区域中的金属化部分，其中，所述金属化部分沿着所述THz波的传播方向局部化，以使得所述THz波能够在所述局部功能化部分之外进行无金属化传播；以及另一介质基片，其中，所述介质波导装置120布置在所述介质基片110和所述另一介质基片之间；其中，所述介质波导装置120包括具有分支点123的分叉，并且所述局部功能化部分的表面区域由与所述分支点123相邻的相对表面形成，并且没有电压施加在所述金属化部分的组件上或组件之间。
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