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申请/专利权人：彩虹显示器件股份有限公司
摘要：本实用新型属于基板玻璃制造领域，涉及一种大流量下高效熔化的前区双电极非等距窑炉。包括池壁，池壁围设形成澄清区、均化区和若干预熔区，预熔区连通均化区，均化区连通澄清区。预熔区的总宽度大于澄清区和均化区的宽度，澄清区、均化区和预熔区两侧的池壁上均布置有若干电极，预熔区两侧的电极间距小于澄清区和均化区两侧的电极间距，有利于窑炉电极加电工艺运行的稳定性，降低了“掉电”现象的发生。池壁上开设有出料口和若干投料口，投料口连通预熔区，出料口连通澄清区。不同投料口投入的玻璃粉料进入对应的预熔区进行预熔化，将不同投料口投入的玻璃粉料分开，避免预熔化过程不同投料口料山的熔化工艺的相互干扰。
主权项：1.大流量下高效熔化的前区双电极非等距窑炉，其特征在于，包括池壁1，池壁1围设形成澄清区8、均化区7和若干预熔区6，若干预熔区6之间通过池壁1进行分割形成，预熔区6连通均化区7，均化区7连通澄清区8，澄清区8和均化区7的宽度均小于若干预熔区6的总宽度，澄清区8、均化区7和预熔区6两侧的池壁1上均布置有若干电极2，澄清区8和均化区7的宽度均大于单个预熔区6的宽度，池壁1上开设有出料口5和若干投料口4，投料口4连通预熔区6，出料口5连通澄清区8。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 彩虹显示器件股份有限公司 大流量下高效熔化的前区双电极非等距窑炉
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