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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体基底，所述半导体基底包括SOI区和体硅区，所述SOI区包括从下至上的衬底、埋氧层及半导体层，所述体硅区包括所述衬底，所述体硅区的所述衬底的顶面与所述SOI区的所述半导体层的顶面齐平，从而可以降低所述SOI区和所述体硅区上制备相应的半导体结构时，对刻蚀工艺和沉积工艺的要求。相应的，本发明还提供了一种半导体器件的制备方法。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体基底，所述半导体基底包括SOI区和体硅区，所述SOI区包括从下至上的衬底、埋氧层及半导体层，所述体硅区包括所述衬底，所述体硅区的所述衬底的顶面与所述SOI区的所述半导体层的顶面齐平。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体器件及其制备方法
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