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申请/专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司

摘要：本申请公开了一种双向功率器件，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度。该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。

主权项：1.一种双向功率器件，包括：半导体层；第一掺杂区，位于所述半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于所述第一掺杂区中，将所述第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；栅介质层，覆盖所述第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；控制栅，位于所述第一沟槽区的多个沟槽的下部并与所述栅介质层接触；第一屏蔽介质层，覆盖所述第一沟槽区的多个沟槽的中部侧壁并位于所述控制栅的表面；第一屏蔽栅，位于所述第一沟槽区的多个沟槽的中部并与所述第一屏蔽介质层接触；第二屏蔽介质层，覆盖所述第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁并位于所述第一屏蔽栅的表面；以及第二屏蔽栅，位于所述第一沟槽区的多个沟槽的上部并与所述第二屏蔽介质层接触，其中，所述第一屏蔽介质层将所述控制栅和所述第一屏蔽栅分隔，所述第二屏蔽介质层将所述第二屏蔽栅和所述第一屏蔽栅分隔，还包括第二沟槽区的沟槽，位于所述半导体层中，并与所述第一掺杂区分隔；所述栅介质层还位于所述第二沟槽区的沟槽的侧壁上，所述控制栅还位于所述第二沟槽区的沟槽中并与所述栅介质层接触；所述第一沟槽区的沟槽与所述第二沟槽区的沟槽连通，位于所述第一沟槽区的沟槽中的控制栅与位于所述第二沟槽区的沟槽中的控制栅相连，还包括第三沟槽区的沟槽，位于所述半导体层中，并与所述第一掺杂区分隔；所述栅介质层还覆盖所述第三沟槽区的沟槽的下部侧壁，所述控制栅还位于所述第三沟槽区的沟槽的下部并与所述栅介质层接触，所述第一屏蔽介质层还覆盖所述第三沟槽区的沟槽的上部侧壁并位于所述控制栅的表面，所述第一屏蔽栅还位于所述第三沟槽区的沟槽上部并与所述第一屏蔽介质层接触，所述第一屏蔽介质层将所述控制栅和所述第一屏蔽栅分隔；所述第一沟槽区的沟槽与所述第三沟槽区的沟槽连通，位于所述第一沟槽区的沟槽中的控制栅与位于所述第三沟槽区的沟槽中的控制栅相连，位于所述第一沟槽区的沟槽中的第一屏蔽栅与位于所述第三沟槽区的沟槽中的第一屏蔽栅相连。

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