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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本实用新型涉及一种半导体衬底及半导体器件。本实用新型通过在硅衬底粗糙度不同的两侧分别设置第一复合缓冲层和第二复合缓冲层，由于第二面相比第一面的表面具有更大的应力分布，因此本实用新型设置第二复合缓冲层的厚度是所述第一复合缓冲层厚度的2‑4倍，通过第二复合缓冲层工艺匹配调制的作用，一方面，可以保证第二复合缓冲层起到释放第二面应力的效果，可避免外延层表面因大的张应力出现裂纹等缺陷；另一方面，可以提供合适的应力调制作用，避免出现外延层翘曲较大以及外延层薄膜受到的应力分布均匀性差等问题，从而提高半导体器件的性能和产品一致性。
主权项：1.一种半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底包括：硅衬底，所述硅衬底具有用于进行外延生长的第一面和用于非外延生长的第二面，所述第一面的粗糙度小于所述第二面的粗糙度；第一复合缓冲层，所述第一复合缓冲层设置于所述第一面上，该第一复合缓冲层包括一第一循环结构，所述第一循环结构为第一子层和第二子层的周期循环；第二复合缓冲层，所述第二复合缓冲层设置于所述第二面上，该第二复合缓冲层包括一第二循环结构，所述第二循环结构为第三子层和第四子层的周期循环；其中，所述第一子层和第三子层材质相同，所述第二子层和第四子层材质相同，以使得所述第一复合缓冲层提供与所述第二复合缓冲层反向的应力；所述第二循环结构的循环周期大于所述第一循环结构的循环周期，所述第二复合缓冲层的厚度是所述第一复合缓冲层的厚度的2-4倍。
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权利要求：
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