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申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
摘要：本实用新型公开了一种半导体装置。半导体装置包括半导体衬底、堆叠结构和接触结构。半导体衬底包括隔离结构与隔离结构定义的有源结构，且有源结构包括至少一鳍状结构。堆叠结构设置在半导体衬底中，堆叠结构沿水平方向延伸跨过鳍状结构，且堆叠结构包括导电层、盖层和介电盖层。导电层的第二部分的上表面在垂直方向上高于导电层的第一部分的上表面，且第二部分的上表面与隔离结构之间在垂直方向上的距离大于第一部分的上表面与隔离结构之间在垂直方向上的距离。盖层设置在导电层上，介电盖层设置在盖层与导电层上，接触结构直接接触导电层的第二部分且与堆叠结构电连接。如此，可改善接触结构与堆叠结构之间的电连接状况。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，包括隔离结构以及该隔离结构定义的有源结构，该有源结构包括：至少一鳍状结构；第一堆叠结构，设置在该半导体衬底中，其中该第一堆叠结构沿水平方向延伸跨过该鳍状结构且该第一堆叠结构包括：导电层,包括：第一部分；以及第二部分，其中该第二部分的上表面在垂直方向上高于该第一部分的上表面，且该第二部分的该上表面与该隔离结构之间在该垂直方向上的距离大于该第一部分的该上表面与该隔离结构之间在该垂直方向上的距离；盖层，设置在该导电层上；以及介电盖层，设置在该盖层与该导电层上；以及接触结构，直接接触该导电层的该第二部分且与该第一堆叠结构电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体装置
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