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一种利用晶体场效应实现纳米晶掺杂的聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法 

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申请/专利权人:吉林大学

摘要:本发明公开了一种利用晶体场效应实现纳米晶掺杂的聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法,属于宽带光通信技术领域,该方法利用纳米晶晶体场效应,选择晶体结构对称性低的材料作为基质,利用晶体场的J劈裂来实现纳米晶晶格中掺杂的镧系离子在光通信波段的能级跃迁发射光谱的展宽;通过将纳米晶复合在有机聚合物基质中制备在通信波段具有宽带发光的纳米晶‑聚合物有机无机复合物,作为光波导放大器的增益介质,进而实现掺杂纳米晶的聚合物基光波导放大器的工作带宽展宽,实现宽带光放大;并进一步可使纳米晶中掺杂的Er3+离子的发光半高全宽拓展超过120nm,发光覆盖了全部C+L波段,最终在纳米晶掺杂的聚合物波导放大器中获得了较高的L波段的相对增益;从而满足现代通信系统对波导放大器带宽的需求,并有望在光通信终端、数据传输以及各种光学传感器等领域得到广泛应用。

主权项:1.一种利用晶体场效应实现纳米晶掺杂的聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法,其特征在于,具体包括如下步骤:S1、合成具有低晶体场对称性的纳米晶基质材料;S2、利用纳米晶合成方法将镧系发光中心离子掺杂进上述纳米晶基质材料的晶格中,利用晶体场效应来获得镧系发光中心离子发射光谱展宽;S3、通过化学方法在纳米晶基质材料的表面修饰有机配体或聚合活性基团,获得可直接进行物理掺杂或可与聚合物单体共聚合的纳米粒子;S4、将表面修饰后的纳米粒子与聚合物通过物理掺杂或化学共聚,制备得到复合聚合物,作为增益介质;S5、将增益介质制备成光波导器件,从而实现放大器增益带宽展宽。

全文数据:

权利要求:

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