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申请/专利权人：意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体国际有限公司
摘要：本公开的实施例涉及针对基于PMOS的开关的过电压保护电路。集成电路包括过电压保护电路。过电压保护电路检测集成电路焊盘处的过电压事件。过电压保护电路生成最大电压信号，该最大电压信号是焊盘处电压、以及集成电路的供应电压中的较大项。当过电压事件存在于焊盘上时，过电压保护电路通过向PMOS晶体管的栅极供应最大电压信号，禁用被耦合到焊盘的PMOS晶体管。
主权项：1.一种装置，包括：电压生成器，包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括耦合到焊盘电压的栅极、耦合到电源电压的第一端子、以及第二端子；第二晶体管，所述第二晶体管包括耦合到所述电源电压的栅极、耦合到所述焊盘电压的第一端子、以及在第一节点处耦合到所述第一晶体管的所述第二端子的第二端子；第三晶体管，所述第三晶体管包括耦合到所述第一节点的栅极、耦合到所述第一节点的第一端子、以及耦合到所述电源电压的第二端子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(鲁塞)公司 意法半导体国际有限公司 针对基于PMOS的开关的过电压保护电路
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