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申请/专利权人：昆明物理研究所
摘要：本发明公开了一种布里奇曼晶体生长炉用模拟测温装置及温场调控方法，模拟测温装置包括放置在布里奇曼晶体生长炉内的坩埚，其特征在于：坩埚内填充有与待生长晶体材料的熔体热导率相近的模拟材料，并在坩埚的轴心处及边缘处分别插有多孔陶瓷管，多孔陶瓷管内插有测温元件，且测温元件可在垂直方向上进行精确移动。基于上述模拟测温装置可模拟晶体在生长炉中的热传导状态，进而在晶体生长前对生长炉热场进行调控优化，使材料内部的轴向和径向温度梯度达到目标值。本发明弥补了布里奇曼方法“暗箱”生长的短板，实现了对生长炉热场作用在材料内部的温度梯度的精细化测量与调控，可有效提高晶体生长的成晶率和晶体质量。
主权项：1.一种布里奇曼晶体生长炉用模拟测温装置，包括放置在布里奇曼晶体生长炉内的坩埚，其特征在于：坩埚内填充有与待生长晶体材料的熔体热导率相近的模拟材料，并在坩埚的轴心处及边缘处，分别插有多孔陶瓷管，多孔陶瓷管上端向上延伸出布里奇曼晶体生长炉炉顶并与测温升降机构相配接，多孔陶瓷管内插有测温元件，测温点位于多孔陶瓷管下端，其中，位于轴心处的多孔陶瓷管下端的测温点设为高低错开的二个，位于边缘处的多孔陶瓷管下端的测温点设为一个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明物理研究所 布里奇曼晶体生长炉用模拟测温装置及温场调控方法
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