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一种基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器 

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申请/专利权人:常熟理工学院

摘要:本发明涉及一种基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器。该吸波器单胞结构从上至下依次为二氧化钒谐振图案层、二氧化硅介质层和金膜底板层。二氧化钒谐振图案层是由外部金属开口谐振环、中间方环和方环内耶路撒冷十字结构组成的复合结构,耶路撒冷十字结构由十字架、十字架端口的矩形和矩形边上的扇形构成,扇形的弦长与矩形边长相同、圆心角为θr。通过调控外界温度,进而改变二氧化钒的电导率,利用其从绝缘态到金属态的相变特性,从而实现吸波率从3.3%到接近100%的动态调控。本发明具有偏振不敏感和宽入射角稳定性,在4.73‑10.02THz范围内实现90%以上的宽带吸波效果,吸波带宽为5.29THz,相对带宽为71.73%,可广泛应用于成像、调制器、光电开关等领域。

主权项:1.一种基于二氧化钒的太赫兹可调控宽带吸波器,其主要特征在于:该吸波器由三层组成,从上至下依次为二氧化钒谐振图案层、二氧化硅介质层和金膜底板层,三层之间紧密贴合;二氧化钒谐振图案层是由外部金属开口谐振环、中间方环和方环内耶路撒冷十字结构组成的复合结构,耶路撒冷十字结构由十字架、十字架端口的矩形和矩形边上的扇形构成,扇形的弦长与矩形边长相同、圆心角为θr;单胞结构在x,y方向上周期性规则排列,呈M×N分布,M表示在x方向的单胞分布数,N表示在y方向的单胞分布数,本发明中M=N。

全文数据:

权利要求:

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