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申请/专利权人：江苏新璟宏能源科技有限公司
摘要：本发明提供一种减少异质结电池篮齿印的方法，在硅片制绒后双氧水作为强氧化剂，对硅片表面的有机污染物和损伤层进行氧化溶解，提高硅片表面的洁净度，双氧水过量时，造成氢氧化钾对硅片的过腐蚀，金字塔成型不佳，表面微粗糙度高，对花篮缝隙遮挡的地方尤为明显，篮齿印比例偏高，因此本申请通过将氢氧化钾和双氧水按照比例配槽，并将体积自补比例稳定在1:2‑1:3，能够使绒面的微粗糙度降低，从而可以大大降低篮齿印比例。通过制绒液中碱和添加剂的设置降低硅片表面张力，提高制绒液的润湿度和流动性，同时打开鼓泡功能，通过制绒温度、时间以及工艺配比使得硅片的表面呈现规则、小尺寸、均匀、密集的金字塔绒面结构，并降低篮齿印比例。
主权项：1.一种减少异质结电池篮齿印的方法，其特征在于，通过将载有硅片的花篮依次经过如下步骤：S1，对硅片进行预清洗去除硅片表面颗粒物以及机械损伤；S2，通过一次制绒液在硅片表面形成金字塔结构，控制温度为70-80℃，时间为300-500s，并控制减重0.3-0.35gpcs；S3，通过二次制绒液控制温度60-70℃，时间为90-100s，并控制减重0.02-0.05gpcs；S4，通过氢氧化钾和双氧水按体积比1:110-130配槽，并控制温度为60-70℃，时间240-300s对硅片进行后清洗，氢氧化钾按批数自补，双氧水按时间补加，使氢氧化钾和双氧水自补体积比例稳定在1：2-1：3；S5，通过盐酸与氢氟酸按体积比为1:1.2-1：1.5配槽，同时通入30-45ppm的臭氧对硅片表面进行圆化处理，并控制圆化时间为60-80s，温度为60-80℃；S6，采用盐酸和双氧水的混合液进行清洗；S7，采用氢氟酸去除硅片表面的二氧化硅，并使得硅片表面具有疏水性；S8，进行慢提拉后烘干硅片和花篮；相邻的步骤之间至少包括一次纯水清洗；所述S1-S8中的液体均为溢流状态且辅助有鼓泡工艺，所述一次制绒液为浓度为3-5％氢氧化钾、0.1-1.5％制绒添加剂；所述二次制绒液为浓度为2-4％氢氧化钠、0.05-1％制绒添加剂。
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权利要求：
百度查询： 江苏新璟宏能源科技有限公司 一种减少异质结电池篮齿印的方法
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