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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本公开提供了一种低漏电流的垂直沟道晶体管及其制备方法、存储器和电子设备，晶体管包括：衬底；绝缘层，绝缘层上开设过孔；设置在过孔底部表面的第一电极层；设置在绝缘层远离衬底一侧表面的第二电极层；沿过孔侧壁设置的第一沟道层，第一沟道层与第一电极层和第二电极层同时连接；设置在第一电极层和第二电极层远离衬底一侧表面的第二沟道层，第二沟道层的电阻小于第一沟道层的电阻；设置在第二沟道层远离衬底一侧表面的栅极介质层；设置在栅极介质层远离衬底一侧表面的栅极层。本公开形成具有不同电阻情况的第一沟道层和第二沟道层，使晶体管在关态下两个电极之间通过具有较高电阻的第一沟道层连接，实现超低漏电流晶体管的形成。
主权项：1.一种低漏电流的垂直沟道晶体管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底一侧表面的绝缘层，所述绝缘层上开设过孔；设置在所述过孔底部表面的第一电极层，所述第一电极层的厚度小于所述过孔的孔深；设置在所述绝缘层远离所述衬底一侧表面的第二电极层，所述第二电极层与所述第一电极层之间绝缘；沿所述过孔侧壁设置的第一沟道层，所述第一沟道层与所述第一电极层和所述第二电极层同时连接，所述第一沟道层在所述衬底上的正投影与所述第二电极层在所述衬底上的正投影邻接，所述第一沟道层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述第一电极层在所述衬底上的正投影的一部分；设置在所述第一电极层和所述第二电极层远离所述衬底一侧表面的第二沟道层，所述第二沟道层的电阻小于所述第一沟道层的电阻；设置在所述第二沟道层远离所述衬底一侧表面的栅极介质层；设置在所述栅极介质层远离所述衬底一侧表面的栅极层。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种低漏电流的垂直沟道晶体管及其制备方法
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