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申请/专利权人：西南科技大学
摘要：本发明公开了一种m＝2的非周期NiTi中子超镜多层膜的制备方法，使用离子束刻蚀对SiO2基片进行100s的刻蚀前处理，得预处理基片；在预处理基片上，于纯Ar气氛中溅射Ti层；在N2和Ar气氛中溅射Ni层；重复制备以上Ti层和NiNx层各120次，得到m＝2的非周期NiTi中子超镜多层膜。本发明提供的非周期NiTi中子超镜多层膜制备方法可得到m＝2的膜质量较好的中子超镜多层膜，该多层膜晶粒尺寸较小，成膜质量较优，表面粗糙度小。本发明提供的制备方法得到的非周期NiTi中子超镜，比纯Ar制备的NiTi中子超镜在大q区反射率更高。
主权项：1.一种m＝2的非周期NiTi中子超镜多层膜的制备方法，包括：1使用离子束刻蚀对SiO2基片进行100s的刻蚀前处理，得预处理基片；2在预处理基片上，于纯Ar气氛中制备Ti层；在N2和Ar气氛中制备Ni层；重复制备以上Ti层和NiNx层各120次，得到m＝2的非周期NiTi中子超镜多层膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南科技大学 一种m=2的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜的制备方法
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