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摘要：本发明涉及半导体芯片领域，具体公开了一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法以及相关的制备方法；本发明采用大气环境Plasma涂敷，PECVD、CVD、ALD、喷墨打印、喷涂或丝印等镀膜设备，另外采用喷涂、喷墨打印或者丝印设备，针对Wafer或Die背面金属化结构进行特殊设计，通过附着金属层，提升热量从Wafer或Die传导至均热或者散热层的传导效率，同时该结构设计还能够有效解决金属层难以附着在Wafer或Die背面的问题，也能够避免出现潜在后继SMT或其他工序对金属层的影响，能够提升背面金属化BSM生产的效率，针对物品表面需要增加金属化层的场景，本发明所阐述的结构以及制造方法，也具有明显的适用性，例如印刷电路板以及柔性印刷电路板电磁噪声屏蔽或热传导等场景。
主权项：1.一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法，其特征在于，包括：基材1，所述基材1选用Wafer或Die；附着力提升层2，所述附着力提升层2覆盖在基材1背面；导热导电金属层3，所述导热导电金属层3覆盖在附着力提升层2外部；保护层4，所述保护层4覆盖在导热导电金属层3外部，保护层4为选配，当导热导电金属层3需要接触SMT工序超过100秒时，需要增加保护层4。
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百度查询： 黄梓轩 一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法
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