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申请/专利权人：西北核技术研究所

摘要：本发明涉及单粒子效应仿真验证方法，具体涉及一种集成电路标准单元库单粒子效应仿真验证方法，用于解决现有的单粒子效应仿真评估方法无法覆盖所有标准单元，且无法针对标准单元库内同时存在的大量独立单元进行完备的单粒子效应评估的不足之处。该集成电路标准单元库单粒子效应仿真验证方法可针对标准单元库内的不同种类标准单元开展单粒子效应仿真验证，评价其抗单粒子特性。

主权项：1.一种集成电路标准单元库单粒子效应仿真验证方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在待开发的集成电路标准单元库内选择任一标准单元，读取其版图文件GDS，并进行离散化，建立网格；步骤2、由步骤1中版图文件GDS提取得到晶体管级网表文件SPI；步骤3、依据步骤1所选标准单元的单元逻辑真值表，采用脚本方式配置标准单元各端口的电学状态，所述电学状态包括类型和逻辑值，所述类型为Data、Control、Clock中的一种；步骤4、读取步骤3标准单元各端口的电学状态，得到所有输入逻辑，选取其中一种输入逻辑生成对应的测试激励文件STI；步骤5、输入入射粒子线性能量传输值及入射时间T，任取一个网格点坐标生成故障注入文件FI；步骤6、将步骤2中晶体管级网表文件SPI、步骤4中测试激励文件STI与步骤5中故障注入文件FI整合成为完整的仿真文件SEE，使用仿真工具执行仿真，并监测标准单元的输出端口电压状态变化；步骤7、仿真结束后，通过仿真工具输出波形测量文件TR，并与步骤3中单元逻辑真值表对比，判断是否发生单粒子效应并记录；步骤8、判断是否覆盖所有网格点，若是，则得到步骤4所选输入逻辑下所有网格点的单粒子仿真结果，执行步骤9，否则返回步骤5，在剩余网格点中任取一个网格点坐标生成故障注入文件FI；步骤9、判断是否覆盖所有输入逻辑，若是，则得到该标准单元所有输入逻辑的单粒子效应数据，执行步骤10，否则返回步骤4，在剩余输入逻辑中任取一个生成对应的测试激励文件STI；步骤10、判断是否覆盖所有标准单元，若是，则将仿真得到的所有数据按照查找表格式存储为单元库单粒子效应数据集，完成集成电路标准单元库单粒子效应仿真验证，否则返回步骤1，在剩余标准单元中任取一个读取其版图文件GDS，并进行离散化，建立网格。

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