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申请/专利权人:西安电子科技大学
摘要:本发明公开了一种二维非晶结晶氮化碳Z型异质结及其制备方法,该该异质结包括质子化的非晶氮化碳纳米片和结晶氮化碳纳米片,将非晶氮化碳纳米片与结晶氮化碳纳米片按照质量比为1:1‑5混合,利用静电自组装法合成二维非晶结晶氮化碳Z型异质结;保留了非晶氮化碳的高比表面积和丰富的活性位点,以及结晶氮化碳的高载流子迁移率和光吸收效率,改善了非晶氮化碳的缺陷态多和载流子迁移率低的问题,显著提升了光电性能,解决了现有技术中氮化碳Z型异质结的缺陷态和载流子复合、迁移率低以及复杂制备工艺的技术问题。
主权项:1.一种二维非晶结晶氮化碳Z型异质结,其特征在于:包括质子化的非晶氮化碳纳米片和结晶氮化碳纳米片,将非晶氮化碳纳米片与结晶氮化碳纳米片按照质量比为1:1-5混合,利用静电自组装法合成二维非晶结晶氮化碳Z型异质结。
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百度查询: 西安电子科技大学 一种二维非晶/结晶氮化碳Z型异质结及其制备方法
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